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Харвестер відкритої науки НАН України
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Rubtsevich, I. I.
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Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку...
von
Rubtsevich, I. I.
,
Solovyov, Ya. A.
,
Vysotskiy, V. B.
,
Dudkin, A. I.
,
Kovalchuk, N. S.
Veröffentlicht 2011
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Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von
Sоlоdukha, V. A.
,
Turtsevich, A. S.
,
Solov’yov, J. A.
,
Rubtsevich, I. I.
,
Kerentsev, A. F.
Veröffentlicht 2012
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3
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром...
von
Turtsevich, A. S.
,
Rubtsevich, I. I.
,
Solov’yov, Ya. А.
,
Vas’kov, O. S.
,
Kononenko, V. K.
,
Niss, V. S.
,
Kerentsev, A. F.
Veröffentlicht 2012
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Schottky diode
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внутренние механические напряжения
диод Шоттки
диэлектрические пленки
микроэлектромеханические системы
нитрид кремния
оксид кремния
посадка кристалла
потенциальный барьер
разряд статического электричества
релаксационный импеданс-спектрометр
тепловое сопротивление
транзистор