Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells за авторством Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Behaviour of manganese impurity in β-ZnP₂ за авторством Kakazej, M., Kudin, A., Pinkovs’ka, M., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te за авторством Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes за авторством Konoreva, O., Malyj, E., Mamykin, S., Petrenko, I., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures за авторством Litovchenko, P., Litovchenko, A., Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals за авторством Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes за авторством Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing за авторством Zavada, M., Konoreva, O., Lytovchenko, P., Opilat, V., Pinkovska, M., Radkevych, O., Tartachnyk, V.

Отримати повний текст

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes за авторством Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.

Отримати повний текст

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.

Отримати повний текст

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Low doses effect in GaP light-emitting diodes за авторством Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

Отримати повний текст

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons за авторством Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст