The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112376 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-112376 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1123762017-01-21T03:02:33Z The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. Экспериментальные методы и обработка данных The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that at high bias voltages the main mechanism influencing on the etch rate drop is a material sputtering of the working electrode and its redeposition onto the surface of processed silicon wafers. Експериментально досліджено вплив напруги зміщення на швидкість травлення кремнію в плазмохімічному реакторі (ПХР) з керованими магнітними полями. З’ясовано, що при високих значеннях напруги зміщення основним механізмом, що впливає на зменшення швидкості травлення, є розпилення матеріалу робочого електрода і переосадження його на поверхню оброблюваних кремнієвих пластин. Экспериментально исследовано влияние напряжения смещения на скорость травления кремния в плазмохимическом реакторе (ПХР) с управляемыми магнитными полями. Установлено, что при высоких величинах напряжения смещения основным механизмом, влияющим на уменьшение скорости травления, является распыление материала рабочего электрода и переосаждение его на поверхность обрабатываемых кремниевых пластин. 2015 Article The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.Bn, 81.65.Cf http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112376 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Экспериментальные методы и обработка данных Экспериментальные методы и обработка данных |
| spellingShingle |
Экспериментальные методы и обработка данных Экспериментальные методы и обработка данных Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon Вопросы атомной науки и техники |
| description |
The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that at high bias voltages the main mechanism influencing on the etch rate drop is a material sputtering of the working electrode and its redeposition onto the surface of processed silicon wafers. |
| format |
Article |
| author |
Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. |
| author_facet |
Fedorovich, О.А. Hladkovskiy, V.V. Polozov, B.P. Kruglenko, М.P. |
| author_sort |
Fedorovich, О.А. |
| title |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_short |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_full |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_fullStr |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_full_unstemmed |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| title_sort |
bias voltage and its influence on the etching rate of silicon |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
Экспериментальные методы и обработка данных |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112376 |
| citation_txt |
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT fedorovichoa thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT hladkovskiyvv thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT polozovbp thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT kruglenkomp thebiasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT fedorovichoa biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT hladkovskiyvv biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT polozovbp biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon AT kruglenkomp biasvoltageanditsinfluenceontheetchingrateofsilicon |
| first_indexed |
2024-03-30T09:21:52Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:21:52Z |
| _version_ |
1796149880124604416 |