Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief sur...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114672 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |