Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments

The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief sur...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1998
Автори: Gorbach, T.Ya., Holiney, R.Yu., Matiyuk, I.M., Matveeva, L.A., Svechnikov, S.V., Venger, E.F.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114672
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-114672
record_format dspace
spelling irk-123456789-1146722017-03-12T03:02:22Z Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments Gorbach, T.Ya. Holiney, R.Yu. Matiyuk, I.M. Matveeva, L.A. Svechnikov, S.V. Venger, E.F. The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief surfaces by anisotropic chemical etching: (i) cutting, (ii) cutting and mechanical polishing with Al₂O₃, (iii) cutting and chemical polishing with HNO₃:HF, and (iv) the standard industrial technique. Using the critical point energy Eg at the central point in the Brillouin zone (GIV₂₅ – GC₁₅ transition) and the phenomenological parameter of broading G to characterize the performance of the Si surface, it was found that anisotropic chemical etching performed after cutting produced the surface performance comparable to that of industrially fabricated wafers, but at a lower cost. Методами спектроскопії низькопольового електровідбиття, растрової електронної мікроскопії та електронографії досліджено вплив попередніх обробок поверхні кремнію (різка; різка та механічна поліровка; різка та хімічна поліровка; стандартна фабрична обробка) на досконалість анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. Як критерій досконалості аналізуються енергія критичної точки Eg в центрі зони Бріллюена (переходи GIV₂₅ – GC₁₅ ), феноменологічний параметр уширення Г, рухливість носіїв заряду, морфологічні особливості поверхні та кристалічна структура. Показана можливість використання попередньої обробки різкою для виготовлення достатньо досконалих анізотропно травлених мікрорельєфних пластин. При цьому очікується зменшення їх кошторису. Методами спекроскопии низкополевого электроотражения, растровой электронной микроскопии и электронографии исследовано влияние предварительных обработок поверхности кремния (резка; резка и механическая полировка; резка и химическая полировка; стандартная фабричная обработка) на совершенство анизотропно травленных микрорельефных пластин. В качестве критерия совершенства анализируются энергия критической точки Eg в центре зоны Бриллюэна (переходы GIV₂₅ – GC₁₅, феноменологический параметр уширения Г, подвижность носителей заряда, морфологические особенности поверхности и кристаллическая структура. Сделан вывод о возможности использования предварительной обработки резкой для получения достаточно совершенных анизотропно травленных микрорельефных кремниевых пластин. При этом ожидается снижение стоимости пластин. 1998 Article Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 71.25.Rk, 81.60.Cp http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114672 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description The effect of various pretreatments on the performance of microrelief (textured) Si wafers was studied by the techniques of low-field electroreflectance spectroscopy, scanning electron microscopy, and electron diffraction. Four types of preliminary treatments were employed to prepare microrelief surfaces by anisotropic chemical etching: (i) cutting, (ii) cutting and mechanical polishing with Al₂O₃, (iii) cutting and chemical polishing with HNO₃:HF, and (iv) the standard industrial technique. Using the critical point energy Eg at the central point in the Brillouin zone (GIV₂₅ – GC₁₅ transition) and the phenomenological parameter of broading G to characterize the performance of the Si surface, it was found that anisotropic chemical etching performed after cutting produced the surface performance comparable to that of industrially fabricated wafers, but at a lower cost.
format Article
author Gorbach, T.Ya.
Holiney, R.Yu.
Matiyuk, I.M.
Matveeva, L.A.
Svechnikov, S.V.
Venger, E.F.
spellingShingle Gorbach, T.Ya.
Holiney, R.Yu.
Matiyuk, I.M.
Matveeva, L.A.
Svechnikov, S.V.
Venger, E.F.
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
author_facet Gorbach, T.Ya.
Holiney, R.Yu.
Matiyuk, I.M.
Matveeva, L.A.
Svechnikov, S.V.
Venger, E.F.
author_sort Gorbach, T.Ya.
title Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
title_short Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
title_full Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
title_fullStr Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
title_full_unstemmed Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
title_sort electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 1998
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114672
citation_txt Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments / T.Ya. Gorbach, R.Yu. Holiney, I.M. Matiyuk, L.A. Matveeva, S.V. Svechnikov, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 66-70. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
series Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
work_keys_str_mv AT gorbachtya electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
AT holineyryu electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
AT matiyukim electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
AT matveevala electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
AT svechnikovsv electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
AT vengeref electroreflectancespectroscopyandscanningelectronmicroscopystudyofmicroreliefsiliconwaferswithvarioussurfacepretreatments
first_indexed 2023-10-18T20:25:06Z
last_indexed 2023-10-18T20:25:06Z
_version_ 1796150101398257664

Схожі ресурси