Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist
Application of inorganic photoresist based on chalcogenide films for fabrication of submicrometer periodic relief on silicon wafers was investigated. For this purpose, technological process of resistive two-layer chalcogenide-Cr mask formation on a silicon surface was developed, and silicon aniso...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117772 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist / V.I. Min'ko, P.E. Shepeliavyi, I.Z. Indutnyy, O.S. Litvin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 40-44. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |