Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions

Present paper studies double barrier resonant tunnelling diodes (DB-RTD) based on GaN/AlGaN heterostructures, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). Tunnel (current-voltage, I–V) and capacitance (capacitance-voltage, C–V) spectroscopy measurements were performed at the temperature...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Belyaev, A.E., Foxon, C.T., Novikov, S.V., Makarovsky, O., Eaves, L., Kappers, M.J., Barnard, J.S., Humphreys, C.J., Danylyuk, S.V., Vitusevich, S.A., Naumov, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118170
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions / A.E. Belyaev, C.T. Foxon, S.V. Novikov, O. Makarovsky, L. Eaves, M.J. Kappers, J.S. Barnard, C.J. Humphreys, S.V. Danylyuk, S.A. Vitusevich, A.V. Naumov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 175-179. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
за авторством: I. V. Boyko, та інші
Опубліковано: (2021)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoluminescence characterization of AlN nanowhiskers
за авторством: Vokhmintsev, A.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Ð“Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ Ð¿ÐµÑ€Ñ„ÑƒÐ·Ð¸Ñ Ð´Ð»Ñ ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð¸Ñ Ð¾Ñ€Ð³Ð°Ð½Ð¾Ð²: Ð½Ð°Ð·Ð°Ð´ Ð² Ð±ÑƒÐ´ÑƒÑ‰ÐµÐµ Ð² 2005 Ð³Ð¾Ð´
за авторством: Fuller, B. J., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Rings of functions on non-abelian groups
за авторством: Maxson, C.J.
Опубліковано: (2009)

Function algebras on rectangular bands
за авторством: Maxson, C.J.
Опубліковано: (2013)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: Sadovyi, B., та інші
Опубліковано: (2017)

Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
за авторством: B. Sadovyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: Churiukova, O., та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods
за авторством: O. Churiukova, та інші
Опубліковано: (2015)

Simulation study of n-ZnO/p-Si heterojunction solar cell
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)