Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
Hot-wall technique has been used for preparation of CdTe-PbTe heterostructures. BaF₂ single crystals served as substrates. Electrical, photoelectric properties as well as noise spectra were investigated. Heterostructures exhibit photosensitivity up to room temperatures in the middle infrared (IR) re...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119065 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique / S. Movchan, F. Sizov, V. Tetyorkin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 84-87. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |