Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
An investigation of radiation effect on edgeless accumulation mode (AM) p-channel and fully-depleted enhancement mode (EM) n-channel MOSFETs, fabricated on UNIBOND silicon on insulatior wafers (SOI), is presented in the paper. Characterization of trapped charge in the gate and buried oxides of the...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121436 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation / Y. Houk, A.N. Nazarov, V.I. Turchanikov, V.S. Lysenko, S. Andriaensen, D. Flandre // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 69-74. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |