A silicon carbide thermistor

• Дата: 2006
• Автори: Boltovets, N.S., Kholevchuk, V.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121636
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: A silicon carbide thermistor / N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 67-70. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

We consider a silicon carbide thermistor with multilayer Au–TiBx–Ni2Si ohmic contacts intended for operation in the 77 to 450 K temperature range.