Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
A new heterojunction (GP) p-FeIn₂Se₄-n-In₄Se₃ was formed by the mechanical contact of the FeIn₂Se₄ plate with the van der Waals surface of In₄Se₃. Investigation of Volt-Farada's, spectral characteristics and temperature dependences of the VAC of the heterojunction. On the basis of the analysis...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2017
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136789 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis / B.V. Kushnir, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Netyaga, I.G. Tkachuk // Functional Materials. — 2017. — Т. 24, № 3. — С. 372-375. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |