Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn

Semiconductors doped with magnetically active atoms are expected to find application in spintronics. Si samples implanted with Mn⁺ (Si:Mn) or with V⁺ (Si:V) can order magnetically after processing at high temperature (HT) and also under enhanced hydrostatic pressure (HP). This work presents new resu...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Misiuk, A., Barcz, A., Chow, L., Bak-Misiuk, J., Romanowski, P., Shalimov, A., Wnuk, A., Surma, B., Vanfleet, R., Prujszczyk, M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2008
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70463
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn / A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Wnuk, B. Surma, R. Vanfleet, M. Prujszczyk // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 4. — С. 105-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси