Verfasser Suchresultate :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Bitte wählen Sie die Treffernummer 1
1

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами von Yodgorova, D. M.

Veröffentlicht 2010

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 2
2

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом von Yodgorova, D. M.

Veröffentlicht 2006

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 3
3

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 4
4

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 5
5

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Veröffentlicht 2005

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 6
6

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi von Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Veröffentlicht 2005

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 7
7

Research of structures with corrugated photoreceiving surface von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 8
8

Determination of potential distribution in a three-barrier structure von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 9
9

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 10
10

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 11
11

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Veröffentlicht 2015

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 12
12

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 13
13

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Veröffentlicht 2008

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 14
14

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Veröffentlicht 2007

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 15
15

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Veröffentlicht 2006

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 16
16

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Veröffentlicht 2006

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 17
17

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 18
18

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 19
19

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Veröffentlicht 2018

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 20
20

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Veröffentlicht 2011

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:

Suchergebnisse - Yodgorova, D. M.

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами von Yodgorova, D. M.

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом von Yodgorova, D. M.

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi von Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Research of structures with corrugated photoreceiving surface von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Determination of potential distribution in a three-barrier structure von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Suchwerkzeuge:

Ähnliche Schlagworte

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.