Suchergebnisse - Chernenko, V. V.
- Treffer 1 - 17 von 17
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells von Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Serba, O.A., Slusar, T.V., Vlasyuk, V.M., Tytarenko, P.O., Chernenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Volltext
Artikel -
10
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes von Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Vlasiuk, V.M., Korkishko, R.M., Sokolovskyi, I.O., Chernenko, V.V., Evstigneev, M.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Volltext
Artikel -
11
Key parameters of textured silicon solar cells of 26.6% photoconversion efficiency von Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Korkishko, R.M., Vlasyuk, V.M., Sokolovskyi, I.O., Dvernikov, B.F., Chernenko, V.V., Evstigneev, M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Volltext
Artikel -
12
Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization von Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Gerasymenko, M.V., Korkishko, R.M., Kulish, M.R., Slipchenko, M.I., Sokolovskyi, I.O., Chernenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Volltext
Artikel -
13
Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact silicon solar cells von Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Korkishko, R.M., Vlasiuk, V.M., Sokolovskyi, I.O., Dvernikov, B.F., Chernenko, V.V., Evstigneev, M.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Volltext
Artikel -
14
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization von Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Vlasyuk, V.M., Korkishko, R.M., Sokolovskyi, I.O., Chernenko, V.V., Dvernikov, B.F., Serba, O.A., Evstigneev, M.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Volltext
Artikel -
15
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром von Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., Komarov, F. F.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
16
-
17
Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
-
Optoelectronics and optoelectronic devices
silicon
silicon solar cells
surface recombination
кремнiєвi сонячнi елементи
Semiconductor physics
X-ray diffraction
deep recombination level
defects
emitter
gettering
heat treatments
influence of surface centers
iron
lifetime
mass spectrometry
near-surface layer
photosensitive silicon structure
recombination current
recombination losses
silicon dioxide layer
space charge region
surface photovoltage
гетерування
глибокий рекомбiнацiйний рiвень
дефекти
емiтер
залiзо
кремнiй