Suchergebnisse - Litovchenko, P. G.

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    The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon von Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

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    Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance von Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.

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    Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла von Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.

    Veröffentlicht 2008
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    The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium von Dolgolenko, A.P., Gaidar, G.P., Varentsov, M.D., Litovchenko, P.G.

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    Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

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    Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide von Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

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  7. 7
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    Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects von Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2005)
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  8. 8
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    Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers von Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P.

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    Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs von Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

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    Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors von Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

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    Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons von Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

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    Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon von Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

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    Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples von Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

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    Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics von Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

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  15. 15
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    Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons von Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

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  16. 16
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    Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин... von Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.

    Veröffentlicht 2011
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    Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons von Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.

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    Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon von Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

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    Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide von Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

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