Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon за авторством Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance за авторством Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла за авторством Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium за авторством Dolgolenko, A.P., Gaidar, G.P., Varentsov, M.D., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects за авторством Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.

Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers за авторством Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs за авторством Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

Опубліковано в: Физика низких температур (2003)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2016)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2017)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples за авторством Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons за авторством Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2020)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин... за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.

Опубліковано 2011

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons за авторством Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon за авторством Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide за авторством Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:

Результати пошуку - Litovchenko, P. G.

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon за авторством Gaidar, G.P., Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G.

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance за авторством Baranskyy, P.I., Gaydar, G.P., Litovchenko, P.G.

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла за авторством Kavetskyy, T. S., Shpotyuk, O. I., Litovchenko, P. G., Tsmots, V. M.

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium за авторством Dolgolenko, A.P., Gaidar, G.P., Varentsov, M.D., Litovchenko, P.G.

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects за авторством Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers за авторством Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P.

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs за авторством Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons за авторством Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples за авторством Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons за авторством Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons за авторством Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon за авторством Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide за авторством Litovchenko, P.G., Wahl, W., Groza, A.A., Dolgolenko, A.P., Karpenko, A.Ya., Khivrych, V.I., Litovchenko, O.P., Lastovetsky, V.F., Sugakov1, V.I., Dubovy, V.K.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми