Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons

за авторством Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.
Опубліковано 2007

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects

за авторством Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.
Опубліковано 2005

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide

за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2001

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs

за авторством Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.
Опубліковано 2003

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

за авторством Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.
Опубліковано 2011

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин...

за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.
Опубліковано 2011

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons

за авторством Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.
Опубліковано 1999