Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP за авторством Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Отримати повний текст

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals за авторством Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Отримати повний текст

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Отримати повний текст

High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields за авторством Milenin, G.V., Milenin, V.V., Redko, R.A.

Отримати повний текст

Cyclotron radiation of semiconductor crystals за авторством Milenin, G.V., Milenin, V.V., Red'ko, R.A.

Отримати повний текст

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Отримати повний текст

Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field за авторством Redko, R.A., Milenin, G.V., Milenin, V.V., Redko, S.M.

Отримати повний текст

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals за авторством Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Отримати повний текст

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films за авторством Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Отримати повний текст

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines за авторством Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.

Отримати повний текст

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Отримати повний текст

Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kurakin, A.M., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Verimeychenko, G.M.

Отримати повний текст

Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them за авторством Boltovets, N.S., Voitsikhovskyi, D.I., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Makara, V.A., Rudenko, O.V., Mel’nichenko, M.M.

Отримати повний текст

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures за авторством Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M.

Отримати повний текст

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing за авторством Litvinov, V.L., Demakov, K.D., Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Konakova, R.V., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V.

Отримати повний текст

A silicon carbide thermistor за авторством Boltovets, N.S., Kholevchuk, V.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V.

Отримати повний текст

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes за авторством Belyaev, A.A., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Vitusevich, S.A., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Kravchenko, L.N., Figielski, T., Wosinski, T., Makosa, A.

Отримати повний текст

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity за авторством Boltovets, M.S., Ivanov, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Shynkarenko, V.V., Sheremet, V.M., Sveshnikov, Yu.N., Yavich, B.S.

Отримати повний текст

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovskyi, D.I., Kamalov, A.B., Kolyadina, E.Yu., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Matveeva, L.A., Prokopenko, I.V.

Отримати повний текст