Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios

• Дата: 2014
• Автори: Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118414
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios / V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 317-324. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.

Dependence of deformation characteristics changing in superlattice (SL) structures AlxGa₁₋xN/GaN with Al (~10%) on the well-barrier thickness ratio in period was studied in this work. The deformation state of SL and individual layers, relaxation level and periods, layers’ thickness and compositio...