Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |