Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect
Based on the macroscopic dielectric continuum model, the interface-optical-propagating (IO-PR) mixing phonon modes of a quasi-zero-dimensional (Q0D) wurtzite cylindrical quantum dot (QD) structure are derived and studied. The analytical phonon states of IO-PR mixing modes are given. It is found that...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автор: | Zhang, L. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2010
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32051 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect / L. Zhang // Condensed Matter Physics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 13801: 1-14. — Бібліогр.: 46 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
за авторством: Kunets, V.P.
Опубліковано: (1999) -
Polar optical phonon states and their dispersive spectra of a wurtzite nitride superlattice with complex bases: transfer-matrix method
за авторством: Zhang, L.
Опубліковано: (2011) -
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001) -
Electric properties of the interface quantum dot — matrix
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2009)