Verfasser Suchresultate :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Bitte wählen Sie die Treffernummer 1
1

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵ von Karimov, A. V.

Veröffentlicht 2007

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 2
2

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 3
3

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Veröffentlicht 2005

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 4
4

Research of structures with corrugated photoreceiving surface von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 5
5

Determination of potential distribution in a three-barrier structure von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 6
6

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 7
7

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 8
8

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Veröffentlicht 2015

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 9
9

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 10
10

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Veröffentlicht 2008

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 11
11

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Veröffentlicht 2007

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 12
12

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Veröffentlicht 2006

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 13
13

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Veröffentlicht 2006

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 14
14

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Veröffentlicht 2009

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 15
15

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 16
16

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features von Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 17
17

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Veröffentlicht 2018

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 18
18

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Veröffentlicht 2011

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 19
19

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Veröffentlicht 2008

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 20
20

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Veröffentlicht 2007

Volltext

Artikel

standalone_record_link
Zu den Favoriten

Gespeichert in:

Suchergebnisse - Karimov, A.V.

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵ von Karimov, A. V.

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Research of structures with corrugated photoreceiving surface von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Determination of potential distribution in a three-barrier structure von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features von Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури von Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Haydarov, Sh. A.

Suchwerkzeuge:

Ähnliche Schlagworte

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.