Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵ за авторством Karimov, A. V.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Research of structures with corrugated photoreceiving surface за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Determination of potential distribution in a three-barrier structure за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Опубліковано 2015

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Опубліковано 2006

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Опубліковано 2006

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Опубліковано 2018

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Опубліковано 2011

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:

Результати пошуку - Karimov, A.V.

Состояние и тенденции развития волноводных излучателей на основе соединений A³B⁵ за авторством Karimov, A. V.

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Research of structures with corrugated photoreceiving surface за авторством Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.

Determination of potential distribution in a three-barrier structure за авторством Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Karimova, D.A.

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A.

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Boltaeva, Sh. Sh., Zoirova, L. Kh.

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers за авторством Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Giyasova, F.A., Saidova, R.A., Yakubov, A.A.

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури за авторством Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.