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Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P.

Veröffentlicht in Металлофизика и новейшие технологии (2018)

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Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)

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Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Maksimenko, Z.V., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Zytkiewicz, Z.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

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X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates von Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

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Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study von Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

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Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge von Maslov, V.P., Fedorenko, A.V., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo., Bozhko, K.M., Zashchepkina, N.M.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)

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Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями von Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.

Veröffentlicht 2021

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X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures von Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

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Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry von Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

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Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment von Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

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Рефлектометричнi дослiдження нанопористих плiвок з масивом наночастинок золота von Kladko, V. P., Gudymenko, O. Y., Kriviy, S. B., Litvin, P. M., Kaganovich, E. B., Krishchenko, I. M., Manoilov, E. G.

Veröffentlicht 2018

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The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Stanchu, H.V., Sabov, T.M., Melnik, V.P., Kryvyi, S.B., Belyaev, A.Ye.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)

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Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах... von Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.

Veröffentlicht 2022

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Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands von Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

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Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

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Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

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Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide von Bacherikov, Yu.Yu., Goroneskul, V.Yu., Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Kolomys, O.F., Krishchenko, I.M., Okhrimenko, O.B., Strelchuk, V.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2020)

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Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants von Klyui, M.I., Temchenko, V.P., Gryshkov, O.P., Dubok, V.A., Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S.

Veröffentlicht in Functional Materials (2013)

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Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient von Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)

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20

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios von Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

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Suchergebnisse - Kladko, V. P.

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P.

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo.

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Maksimenko, Z.V., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Zytkiewicz, Z.

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates von Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study von Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.

Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge von Maslov, V.P., Fedorenko, A.V., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo., Bozhko, K.M., Zashchepkina, N.M.

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями von Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures von Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry von Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment von Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.

Рефлектометричнi дослiдження нанопористих плiвок з масивом наночастинок золота von Kladko, V. P., Gudymenko, O. Y., Kriviy, S. B., Litvin, P. M., Kaganovich, E. B., Krishchenko, I. M., Manoilov, E. G.

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Stanchu, H.V., Sabov, T.M., Melnik, V.P., Kryvyi, S.B., Belyaev, A.Ye.

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands von Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections von Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide von Bacherikov, Yu.Yu., Goroneskul, V.Yu., Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Kolomys, O.F., Krishchenko, I.M., Okhrimenko, O.B., Strelchuk, V.V.

Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants von Klyui, M.I., Temchenko, V.P., Gryshkov, O.P., Dubok, V.A., Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S.

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient von Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios von Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.

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