Suchergebnisse - Popov, V. G.
- Treffer 1 - 11 von 11
-
1
Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements von Popov, V.G.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Volltext
Artikel -
2
Solar cells based on multicrystalline silicon von Popov, V.G.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Volltext
Artikel -
3
-
4
-
5
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers von Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Volltext
Artikel -
6
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates von Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Veröffentlicht in Functional Materials (2006)Volltext
Artikel -
7
-
8
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient von Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Volltext
Artikel -
9
Pulse generators with nanosecond leading edge duration based on TPI-type pseudospark switches for FEL complex von Anchugov, O.V., Matveev, Y.G., Shvedov, D.A., Bochkov, V.D., Bochkov, D.V., Dyagilev, V.M., Ushich, V.G., Mikhailov, S.F., Popov, V.G.
Veröffentlicht in Вопросы атомной науки и техники (2008)Volltext
Artikel -
10
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром von Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., Komarov, F. F.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
11
Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
-
mass spectrometry
silicon
мас-спектрометрiя
X-ray diffraction
defects
depth profile
gettering
iron
iонне розпилення
lifetime
multilayer structure
simulation
sputtering
surface photovoltage
surface recombination
Физика и техника ускорителей
багатошаровi структури
гетерування
дефекти
залiзо
кремнiй
моделювання
профiлi розподiлу
рентгенiвська дифрактометрiя
час життя