Результати пошуку - Popov, V. G.
- Показ 1 - 11 результатів із 11
-
1
Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements за авторством Popov, V.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Отримати повний текст
Стаття -
2
Solar cells based on multicrystalline silicon за авторством Popov, V.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon за авторством Evtukh, A.A., Litovchenko, V.G., Oberemok, A.S., Popov, V.G., Rassamakin, Yu.V., Romanyuk, B.N., Volkov, S.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Отримати повний текст
Стаття -
5
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers за авторством Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
6
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates за авторством Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
7
Термохромні властивості плівок оксиду ванадію, отриманих магнетронним напиленням за авторством Melnik, V.P., Khatsevych, I.M., Goltvyanskyi, Yu.V., Nikirin, V.A., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Klad'ko, V.P., Kuchuk, A.V.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
8
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient за авторством Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
9
Pulse generators with nanosecond leading edge duration based on TPI-type pseudospark switches for FEL complex за авторством Anchugov, O.V., Matveev, Y.G., Shvedov, D.A., Bochkov, V.D., Bochkov, D.V., Dyagilev, V.M., Ushich, V.G., Mikhailov, S.F., Popov, V.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2008)Отримати повний текст
Стаття -
10
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром за авторством Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., Komarov, F. F.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
11
Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
-
mass spectrometry
silicon
мас-спектрометрiя
X-ray diffraction
defects
depth profile
gettering
iron
iонне розпилення
lifetime
multilayer structure
simulation
sputtering
surface photovoltage
surface recombination
Физика и техника ускорителей
багатошаровi структури
гетерування
дефекти
залiзо
кремнiй
моделювання
профiлi розподiлу
рентгенiвська дифрактометрiя
час життя