Suchergebnisse - Tetyorkin, V. V.

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    Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.

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    Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Krolevec, N.M.

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    Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

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    Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Krolevec, N.M.

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    Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes von Ivasiv, Z.F., Sizov, F.F., Tetyorkin, V.V.

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    Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

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    Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

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    Shunt current in InAs diffused photodiodes von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.

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    Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I.

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    Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb von Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.

    Veröffentlicht 2024

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    Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I., Movchan, S.P.

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    Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Stariy, S.V., Boiko, V.A.

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    Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Boiko, V.A., Tkachuk, A.I.

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    Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication von Savkina, R.K., Sizov, F.F., Smirnov, A.B., Tetyorkin, V.V.

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    Investigation of Al-ZERODUR interface by Raman and secondary ion mass spectroscopy von Berezhinsky, L.I., Yukhymchuk, V.A., Maslov, V.P., Tetyorkin, V.V.

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    Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb von Beketov, G.V., Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Trotsenko, S.P.

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    1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions von Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I., Trotsenko, S.P.

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    Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb von Stariy, S.V., Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Yukhymchuk, V.O., Stara, T.R.

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    Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

    Veröffentlicht 2012
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