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    Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
    von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M.
    Veröffentlicht 2005
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  2. 2
    Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
    von Yodgorova, D.M., Karimov, A.V.
    Veröffentlicht 2004
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  3. 3
    Determination of potential distribution in a three-barrier structure
    von Yodgorova, D.M., Zoirova, L.X., Karimov, A.V.
    Veröffentlicht 2006
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  4. 4
    Research of structures with corrugated photoreceiving surface
    von Karimov, A.V., Yodgorova, D.M., Yakubov, E.N.
    Veröffentlicht 2004
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  5. 5
    Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
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  6. 6
    Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
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  7. 7
    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
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  8. 8
    Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
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  9. 9
    Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
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  10. 10
    Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
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  11. 11
    Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
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  12. 12
    Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
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  13. 13
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  14. 14
    Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
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