Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

• Дата: 2001
• Автори: Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovskyi, D.I., Kamalov, A.B., Kolyadina, E.Yu., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Matveeva, L.A., Prokopenko, I.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119331
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system / R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskyi, A.B. Kamalov, E.Yu. Kolyadina, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, L.A. Matveeva, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 298-300. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

For TiBx film ~50 nm thick formed by magnetron sputtering from a pressed target onto the <100> GaAs substrate we experimentally revealed lateral nonuniformity ordering at microwave irradiation (frequency of 2.45 GHz, illuminance of 1.5 W/cm²). This correlates with improvement of the TiBx-n-n⁺-GaAs diode structure parameters after similar microwave treatment.