Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs

The analytical, structural and electrophysical techniques have been applied to studies of the thermal degradation mechanism appearing in diode structures with the Schottky barrier Au-Mo-TiBxGaAs. It was shown that the rapid thermal annealing at T = 600 °C during 60 sec in hydrogen atmosphere results...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119864
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs / E.F. Venger, A.A. Beliaev, N.S. Boltovets, I.B. Ermolovich, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I.Voitsikhovski, T. Figielski, A. Makosa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine