Результати пошуку - Ivanov, V.N.
- Показ 1 - 11 результатів із 11
-
1
Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system за авторством Panasyuk, A.D., Podchernyaeva, I.A., Neshpor, I.P., Gawalek, W., Ivanov, V.N.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
4
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
5
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)Отримати повний текст
Стаття -
6
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
7
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
8
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
9
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
10
Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals за авторством Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Ivanov, V.N., Krivutsa, V.A., Tsvir, A.V., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Venger, E.F., Voitsikhovskyi, D.I., Kholevchuk, V.V., Mitin, V.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
11
Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis за авторством Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
4NSiC silicon carbide
Gunn diode
Technology
cathode contact
diode chip
indium phosphide
ion-plasma etching
mesastructure
ohmic contact
p–i–n-diode
p–i–n-диод
silicon etching
диод Ганна
карбид кремния 4НSiC
катодный контакт
мезаструктура
омический контакт
травление ионно-плазменное
травление кремния
фосфид индия
чип диода