Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны за авторством Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн за авторством Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.

Опубліковано 2006

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyuk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolayenko, Yu. E.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system за авторством Panasyuk, A.D., Podchernyaeva, I.A., Neshpor, I.P., Gawalek, W., Ivanov, V.N.

Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment за авторством Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Ivanov, V.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.

Опубліковано 2009

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kurakin, A.M., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Verimeychenko, G.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs за авторством Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.

Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis за авторством Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., Shishkov, M.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kamalov, A.B., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals за авторством Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Ivanov, V.N., Krivutsa, V.A., Tsvir, A.V., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Venger, E.F., Voitsikhovskyi, D.I., Kholevchuk, V.V., Mitin, V.F.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis за авторством Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

standalone_record_link
Додати у Вибране

Збережено в:

Результати пошуку - Ivanov, V.N.

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны за авторством Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Nikolaenko, Ju. E.

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн за авторством Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Nikolaienko, Yu. E.

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E.

Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов за авторством Yatsunenko, A. G., Kovtonyuk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolayenko, Yu. E.

Magnetron sputtered coatings of AlN-TiCrB₂ system за авторством Panasyuk, A.D., Podchernyaeva, I.A., Neshpor, I.P., Gawalek, W., Ivanov, V.N.

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment за авторством Kryshtab, T.G., Lytvyn, P.M., Mazin, M.O., Lytvyn, O.S., Prokopenko, I.V., Ivanov, V.N.

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.

Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kurakin, A.M., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Verimeychenko, G.M.

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs за авторством Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми