X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates

• Дата: 2013
• Автори: Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117727
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates / N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 265-272. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Methodical approaches to the analysis of X-ray data for GaN films grown on various buffer layers and different substrates are presented in this work. Justification of dislocation structure investigation by various methods was analyzed and approaches for evaluation of deformation level and relaxat...