Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons

von Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G.
Veröffentlicht 2007

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects

von Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.
Veröffentlicht 2005

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide

von Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Veröffentlicht 2001

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs

von Kаrpenko, А.Ya., Litovchenko, P.G., Shevtsova, О.N., Sugakov, V.I., Vikhlii, G.A.
Veröffentlicht 2003

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

von Dolgolenko, A.P., Druzhinin, A.A., Karpenko, A.Ya., Nichkalo, S.I., Ostrovsky, I.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P.
Veröffentlicht 2011

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин...

von Druzhinin, A. A., Ostrovskiy, I. P., Khoverko, Yu. N., Litovchenko, P. G., Pavlovska, N. T., Pavlovskiy, Yu. V., Tsmots, V. M., Povarchuk, V. Yu.
Veröffentlicht 2011

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons

von Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.
Veröffentlicht 1999