Результати пошуку - Melnik, V. P.
- Показ 1 - 13 результатів із 13
-
1
Формування нанорозмiрних фаз при акусто-стимульованому iонно-променевому синтезi за авторством Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Romanjuk, B. M.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation за авторством Rozhin, A.G., Klyui, N.I., Litovchenko, V.G., Melnik, V.P., Romanyuk, B.N., Piryatinskii, Yu.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Отримати повний текст
Стаття -
4
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters за авторством Bunak, S.V., Ilchenko, V.V., Melnik, V.P., Hatsevych, I.M., Romanyuk, B.N., Shkavro, A.G., Tretyak, O.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
5
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization за авторством Korotyeyev, V.V., Kochelap, V.O., Sapon, S.V., Romaniuk, B.M., Melnik, V.P., Dubikovskyi, O.V., Sabov, T.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
6
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers за авторством Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Stanchu, H.V., Sabov, T.M., Melnik, V.P., Kryvyi, S.B., Belyaev, A.Ye.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
7
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers за авторством Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
8
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates за авторством Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
9
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2 за авторством Bunak, S.V., Buyanin, A.A., Ilchenko, V.V., Marin, V.V., Melnik, V.P., Khacevich, I.M., Tretyak, O.V., Shkavro, A.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
10
Термохромні властивості плівок оксиду ванадію, отриманих магнетронним напиленням за авторством Melnik, V.P., Khatsevych, I.M., Goltvyanskyi, Yu.V., Nikirin, V.A., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Klad'ko, V.P., Kuchuk, A.V.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
11
Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient за авторством Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
12
Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
13
Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition за авторством Kladko, V.P., Melnik, V.P., Liubchenko, О.I., Romanyuk, B.M., Gudymenko, О.Yo., Sabov, Т.M., Dubikovskyi, О.V., Maksimenko, Z.V., Kosulya, О.V., Kulbachynskyi, O.A., Lytvyn, P.M., Efremov, О.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
-
defects
mass spectrometry
дефекти
мас-спектрометрiя
Optoelectronics and optoelectronic devices
Semiconductor physics
Sensors
X-ray diffraction
buried layers
depth profile
diffusion
gettering
ion implantation
iron
iонна iмплантацiя
iонне розпилення
lifetime
multilayer structure
nanoclusters
silicon
simulation
sputtering
ultrasound excitation
багатошаровi структури
гетерування
дифузiя
залiзо
кремнiй
моделювання