Suchergebnisse - Melnik, V. P.

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    Формування нанорозмiрних фаз при акусто-стимульованому iонно-променевому синтезi von Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Romanjuk, B. M.

    Veröffentlicht 2019

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    Механiзми модифiкацiї профiлiв розподiлу домiшок при мас-спектрометричному аналiзi багатошарових наноструктур... von Efremov, A. A., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Romanyuk, B. M.

    Veröffentlicht 2019

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    Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation von Rozhin, A.G., Klyui, N.I., Litovchenko, V.G., Melnik, V.P., Romanyuk, B.N., Piryatinskii, Yu.P.

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    Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters von Bunak, S.V., Ilchenko, V.V., Melnik, V.P., Hatsevych, I.M., Romanyuk, B.N., Shkavro, A.G., Tretyak, O.V.

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    Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization von Korotyeyev, V.V., Kochelap, V.O., Sapon, S.V., Romaniuk, B.M., Melnik, V.P., Dubikovskyi, O.V., Sabov, T.M.

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    The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers von Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Stanchu, H.V., Sabov, T.M., Melnik, V.P., Kryvyi, S.B., Belyaev, A.Ye.

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    Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers von Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.

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    Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates von Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2006)
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    Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2 von Bunak, S.V., Buyanin, A.A., Ilchenko, V.V., Marin, V.V., Melnik, V.P., Khacevich, I.M., Tretyak, O.V., Shkavro, A.G.

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    Термохромні властивості плівок оксиду ванадію, отриманих магнетронним напиленням von Melnik, V.P., Khatsevych, I.M., Goltvyanskyi, Yu.V., Nikirin, V.A., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Klad'ko, V.P., Kuchuk, A.V.

    Veröffentlicht 2022

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    Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient von Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.

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    Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.

    Veröffentlicht 2018

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    Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition von Kladko, V.P., Melnik, V.P., Liubchenko, О.I., Romanyuk, B.M., Gudymenko, О.Yo., Sabov, Т.M., Dubikovskyi, О.V., Maksimenko, Z.V., Kosulya, О.V., Kulbachynskyi, O.A., Lytvyn, P.M., Efremov, О.O.

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