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1

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures

von Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

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2

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures

von Konakova, R.V., Rengevych, O.E., Kurakin, A.M., Kudryk, Ya.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

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3

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices

von Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

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4

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals

von Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

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5

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники

von Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.
Veröffentlicht 2010

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6

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features

von Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

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7

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

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8

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment

von Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

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9

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films

von Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

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10

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines

von Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

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Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films

von Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

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12

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures

von Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Kocherov, A.N., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

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13

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction

von Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

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14

Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення

von Belyaev, A. E., Klyui, N. I., Konakova, R. V., Luk’yanov, A. M., Sveshnikov, Yu. M., Klyui, A. M.
Veröffentlicht 2018

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15

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

von Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

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16

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

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17

$X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures$

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures

von Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

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18

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide

von Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

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19

Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases

von Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kurakin, A.M., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Verimeychenko, G.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

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20

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

von Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

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