Харвестер відкритої науки НАН України

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах

за авторством Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2025

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

за авторством Slipokurov, V.S., Dub, M.M., Tkachenko, A.K., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

за авторством Slipokurov, V.S., Dub, M.M., Tkachenko, A.K., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів

за авторством Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2023

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм

за авторством Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.
Опубліковано 2025

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics

за авторством Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Slipokurov, V.S., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Hybrid-integrated version of SBD amplitude detector intended for the 400–600 GHz frequency range

за авторством Zorenko, A.V., Bychok, A.V., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes

за авторством Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)