Харвестер відкритої науки НАН України

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)