Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Вибрати результат під номером 1
1

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures

за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures

за авторством Konakova, R.V., Rengevych, O.E., Kurakin, A.M., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices

за авторством Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals

за авторством Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники

за авторством Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.
Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features

за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment

за авторством Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films

за авторством Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines

за авторством Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films

за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures

за авторством Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Kocherov, A.N., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction

за авторством Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення

за авторством Belyaev, A. E., Klyui, N. I., Konakova, R. V., Luk’yanov, A. M., Sveshnikov, Yu. M., Klyui, A. M.
Опубліковано 2018

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

за авторством Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

$X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures$

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures

за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide

за авторством Venger, Ye.F., Milenin, V.V., Ermolovich, I.B., Konakova, R.V., Voitsikhovskiy, D.I., Hotovy, I., Ivanov, V. N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases

за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kurakin, A.M., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Verimeychenko, G.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

за авторством Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в: