Suchergebnisse - Konakova, R. V.

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    Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures von Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

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    Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review) von Sachenko, A.V., Konakova, R.V., Belyaev, A.Ye.

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  3. 3
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    Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review) von Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B.

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  4. 4
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    Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices von Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

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  5. 5
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    A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures von Konakova, R.V., Rengevych, O.E., Kurakin, A.M., Kudryk, Ya.Ya.

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  6. 6
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    Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals von Konakova, R.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

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  7. 7
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    Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features von Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.

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  8. 8
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    Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники von Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.

    Veröffentlicht 2010
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  9. 9
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    Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes von Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.

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  10. 10
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    Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films von Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

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  11. 11
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    Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

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  12. 12
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    The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment von Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.

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  13. 13
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    Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines von Boltovets, N.S., Kashin, G.N., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A.

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  14. 14
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    Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction von Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.

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  15. 15
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    Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films von Bacherikov, Yu.Yu., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Ledn’ova, T.M., Okhrimenko, O.B.

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  16. 16
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    Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures von Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Kolyadina, E.Yu., Kocherov, A.N., Okhrimenko, O.B., Svetlichnyi, A.M.

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  17. 17
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    Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures von Bacherikov, Yu.Yu., Konakova, R.V., Okhrimenko, O.B., Berezovska, N.I., Kapitanchuk, L.M., Svetlichnyi, A.M.

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  18. 18
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    Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення von Belyaev, A. E., Klyui, N. I., Konakova, R. V., Luk’yanov, A. M., Sveshnikov, Yu. M., Klyui, A. M.

    Veröffentlicht 2018

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  19. 19
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    X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures von Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

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  20. 20
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    Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.

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