Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons

Silicon n-type samples with resistivity ~2.5*10³ Ohm*cm grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon tmosphere (Ar) and received by the method of transmutation doping (NTD) are investigated before and after irradiation by various doses of fastpile neutrons at room temperature. The...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Dolgolenko, A.P., Litovchenko, P.G., Litovchenko, A.P., Varentsov, M.D., Lastovetsky, V.F., Gaidar, G.P.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118106
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons / A.P. Dolgolenko, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko, M.D. Varentsov, V.F. Lastovetsky, G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 8-15. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Growing of thallium-doped KDP and ADP crystals: structural and optical parameters
за авторством: Salo, V.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

New scintillators for fast and thermal neutron detection
за авторством: Galunov, N.Z., та інші
Опубліковано: (2012)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)

Gamma and fast neutrons flux radiation minimization during the concentrated flux formation of delayed neutrons
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: Lebid, O., та інші
Опубліковано: (2018)

Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: O. Lebid, та інші
Опубліковано: (2018)

Doped YVO₄ crystals: growing, properties and applications
за авторством: Matrosov, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)

On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2009)

High-pure zinc for growing Zn⁸²Se scintillation crystals
за авторством: Kovtun, G.P., та інші
Опубліковано: (2020)

Restoring of fast neutron energetic spectra on the basis of amplitude distribution of signals measured by single crystal neutron spectrometer
за авторством: Olejnik, S.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2016)

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Energy dependence of fast neutron scattering cross-section for 54Fe nuclei
за авторством: I. O. Korzh, та інші
Опубліковано: (2017)

Modeling coal dust dispersion from pile with protection barriers
за авторством: M. Biliaiev, та інші
Опубліковано: (2020)

Optical absorption and luminescence studies of fast neutron-irradiated complex oxides for jewellery applications
за авторством: Mironova-Ulmane, N., та інші
Опубліковано: (2016)

Optical absorption and luminescence studies of fast neutron-irradiated complex oxides for jewellery applications
за авторством: N. Mironova-Ulmane, та інші
Опубліковано: (2016)

On the possibility of multi-wave identification of defects in piles
за авторством: O. M. Trofymchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

The quality of workpiece surface in rough machining of materials with different hardness values by using segmented grinding wheels produced in Vietnam
за авторством: T. P.G. Nguen
Опубліковано: (2016)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Micropropagation for the establishment of fast-growing poplar plantations for the needs of alternative energetics in Ukraine
за авторством: L. V. Khudolieieva, та інші
Опубліковано: (2014)

Modelling main characteristics of fast neutron detector based on recoil protons with the Monte-Carlo method
за авторством: Olejnik, S.N., та інші
Опубліковано: (2002)